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共同儀器

多腔式磁控電漿薄膜系統

多腔式磁控電漿薄膜系統

一、儀器名稱
*中文名稱:多腔式磁控電漿薄膜系統
*英文名稱:KD-Sputter-Load luck
*英文簡稱:Sputter C

二、儀器廠牌、型號、購置年限
廠牌:高敦
型號:Sputter - Load Luck
購置年限:100年11月

三、重要規格
1.人機界面
2.2支6吋濺鍍陰極
3.每次可放1片WAFER (6吋or4吋皆可,4吋須貼在載片上)
4.POWER: DC:1500W*1台與RF:1000W*1台
5.氣體:MFC for Ar與O2
6.抽氣系統:RP + Turbo Pump
7.基板載台轉速5rpm,可調控
8.可升溫最高300oC
9.靶材種類:ZnO與IGZO

四、服務項目
開放ZnO、IGZO薄膜濺鍍。
*標準製程參數
瓦數:100W
Ar=50sccm
O2=0~1sccm
製程壓力:5mtorr
製程溫度:室溫

*以上條件為較佳之薄膜條件,已藉由TFT製作及特性量測證實。
*若需要使用非標準製程參數沉積薄膜,請提早來信或來電給操作技
術員,需做鍍率測試。
*鍍膜限制
O2流量 ≦5sccm
厚度:O2=0sccm 厚度≦500nm
O2=1sccm 厚度≦150nm
O2>1sccm 厚度≦100nm
濺鍍瓦數≦200W (太高反射率易過大造成機台alarm)
沉積溫度<200oC (太高反射率易過大造成機台alarm)
沉積壓力5~20mtorr

五、系統開放等級
1.一般上班時段:D級
2.夜間及假日時段:D級
 

附註:
․A級:開放給需要使用之學生,經訓練考核後可自行操作。
․B級:每位教授指派一位學生申請訓練,該教授之其他學生需由接受訓練的學生代為操作,若有教授使用該儀器之學生過多者,可向儀器負責人申請增加接受訓練學生人數。
․C級:由儀器負責人選定教授推薦之學生若干人接受訓練,經考核後可自行操作儀器並得負責委託服務工作。
․D級:由本實驗室之技術人員接受委託服務,不開放使用。

六、收費標準

 

 

委託操作

自行操作

     單位

 收費標準

學術單位

非儲金/儲金會員

廠商及研究單位

非儲金/儲金會員

學術單位

非儲金/儲金會員

廠商及研究單位

非儲金/儲金會員

 

開機費:1500

使用費:1000/750(每小時)

開機費:3000

使用費:2000/1500(每小時)

暫不開放

暫不開放

       學術單位指各大專院校。

七、開放時間表:
1.週一至週五:13:00~17:00進行委託操作
2.夜間及週六、日:不開放
聯絡人
儀器專家:林鴻志教授
連絡電話:03-5712121 ext:54193

儀器操作技術員:管金儀
連絡電話:03-5712121 ext:54227
Email:kuanchiyi@hotmail.com
 

八、管理辦法及使用辦法:
1.本機台僅開放委託ZnO、IGZO兩種金屬氧化物薄膜沉積,
沉積條件請依照服務項目之規定。
2.每個月固定進行一次鍍率測試以及機台保養。
3.為維持沉積薄膜環境以及濺鍍薄膜品質,本機台嚴禁含銅試
片或進過可鍍銅機台之試片以及具有揮發性有機物之試片,
請務必注意。

九、儀器訓練操作申請須知
不開放訓練

十、儀器操作預約:
申請委託操作之方法
1. 以電話或E-mail與儀器聯絡人接洽委託操作事宜。
2. 請詳細描述試片結構、欲鍍材料及沉積條件等需求。
3. 申請人於預約時段至少一星期前將試片送交儀器聯絡人,申請人
委託前請與儀器聯絡人洽談細節。
4. 每個委託時段僅限鍍一片六吋晶圓,四吋以下及破片請黏貼於六
吋載片上再進行鍍膜。
5. 儀器聯絡人得視需要可要求申請人在現場共同進行實驗。