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貴重儀器

三五族分子束磊晶系統

三五族分子束磊晶系統

儀器名稱
中文名稱:三五族分子束磊晶系統
英文名稱:III-V Molecular Beam Epitaxy System
英文簡稱:MBE
廠牌:Veeco Modular GEN II solid source III-V MBE
儀器地點:奈米中心R110實驗室
購置日期:2004年8月
加入貴儀日期:2015年1月

重要規格
1. High Vacuum Growth chamber:Pressure < 5x10-10 torr
2. Source Material:Ga、Al、In、As、Sb.
3. Doping Source :Be、Si、Te
4. Max substrate Size:3 inch
5. Epitaxy Layer thickness Variation < 5%
6. The highest growth temperature: 640℃
7. In-situ rsidual gas analysis (RGA) and reflection high energy electron diffraction (RHEED, 15kV):
8. Regular monitoring epitaxy layer growth rate and quality.

服務項目
1.本系統為超高真空系統,原則上不開放自行操作,但可現場陪同。
2.本系統服務每一片晶片以6小時為1單元。
3.申請使用者須和儀器負責教授或技術員接洽,以確定樣品符合需求。
4.每人每次最多預約5個樣品。
5.取消預約須於一週前告知。

系統開放等級
目前只開放委託服務,由本實驗室技術人員操作。

收費標準

服務項目 服務內容 收費標準*(基板自費)
III-V 族分子束磊晶系統 砷化物樣品委託成長

學校單位: 20000元/6小時

非營利事業單位: 30000元/6小時

營利事業單位: 50000元/6小時

III-V 族分子束磊晶系統 銻化物樣品委託成長

學校單位:40000元/6小時

非營利事業單位: 60000元/6小時

營利事業單位: 100000元/6小時

※此收費標準係以樣品總成長厚度在1微米以下計算,超過1微米以上部份,不足1微米以1微米計算,每微米以3小時計費。
※業界單位委託操作收費則為100%現金繳費。
※備註:基板費另計,將會以實際基板價格收費。
※另有特殊要求可與我們聯絡並討論。

開放時段
本機台採取委託預約有需要請上貴儀系統預約。

聯絡人
儀器專家:林聖迪教授  TEL:03-5712121#31240
儀器諮詢及操作服務:吳儲君小姐  TEL: 03-5712121#54248或#55665

申訴電話及信箱
徐忠璇小姐  TEL:03-5712121#31534、31248,03-5131534
賴卓君小姐  TEL:03-5712121#31775,03-573177
中心專線電話: TEL:03-6116690

管理辦法及試片限制
1.能夠成長的基板為GaAs、InP、InAs、GaSb、InSb。
2.委託操作者在繳交預約單後,必須聯絡技術員確定實驗時間與成長內容。

儀器預約辦法
1.儀器預約請上科技部貴儀資訊管理系統預約﹝enter
2.欲取消預約請在一周前,聯絡技術員並自行上網取消。
3.預約申請單繳交,請拍照或掃描傳送至技術員信箱