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技轉公告

2017.06.27

碳化矽基板Backside Via hole製程技術

承辦人員 鄭雅玲 承辦電話 03-5131442

本技術將著重於建立氮化鎵射頻高功率元件之整體關鍵技術,提升功率元件模組之輸出功率密度,以利後續應用於高性能之主動相位陣列雷達系統中,以提升我國國防安全自我防衛之能力。