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2017.09.11

GaN on Si - Schottky Barrier Diode(以下稱「SBD」) and p-GaN HEMT磊晶材料量測與元件量測技術合作

承辦人員 鄭雅玲 承辦電話 03-5131442

摘要:在所成長之結構可利用TEM量測來分析其磊晶層之缺陷結構及缺陷密度等技術。